第三代半导体再添一玩家,汽车SiC迈入放量元年

据财联社消息，8月15日，鸿海、旺宏共同召开签约仪式，鸿海以25.2亿新台币（约合5.87亿人民币）收购旺宏新竹6英寸晶圆厂厂房及设备，预计今年年底前完成产权转移。

鸿海董事长刘扬伟表示，公司计划将该厂用于研发生产第三代半导体，特别是电动汽车所用的碳化硅（SiC）功率元件。这也是鸿海“3+3”策略中，整合电动汽车和半导体的一个重要里程碑。

致力于从“劳力密集”向“脑力密集”转型的鸿海，早已将新能源汽车、半导体等新兴产业作为发展的重点方向。今年4月，刘扬伟就曾表示，除了旺宏6英寸厂之外，鸿海对8英寸厂同样有兴趣，计划积极布局特殊制程芯片和SiC。

SiC崛起新能源汽车成最大增量来源

随着电动汽车、智能汽车、5G快速发展，以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体快速崛起。其中，SiC由于具备高甸子饱和速度、极高热导率等特点，以其制成的功率器件性能优异，下游主要应用于新能源车、智能电网等行业。HIS数据显示，2025年SiC功率器件市场规模将达30亿美元。

新能源汽车方面，SiC器件可有效延长行驶历程、缩短充电时间、提高电池容量，下游市场的迅速发展也已成为SiC需求的最大增量来源。目前，特斯拉Model3已搭载SiC逆变器；比亚迪预计到2023年，在旗下电动车中实现SiC基车用功率半导体的全面替代；英飞凌也在5月推出SiC汽车功率模块。中泰证券分析师张欣预计，2021年汽车领域SiC有望进入放量元年。

与第一代半导体硅晶片类似，SiC晶片也在向大尺寸不断发展，提高下游对SiC片的利用率和生产效率。当前，全球市场上，6英寸SiC衬底已实现商业化，主流大厂也陆续推出8英寸样品。7月27日，意法半导体就宣布，制造出首批8英寸SiC晶圆片。

现阶段，SiC的渗透瓶颈主要是成本过高。不过，据CASA统计，SiC价格近几年快速下降，2020年较2017年下降了五成以上。未来，随着6英寸衬底、外延晶片质量提高、8英寸产线实现规模化生产，降本效应有望显现，推进SiC器件和模块普及。

成本这座山还未越过，SiC也还要面对产能这条大河。虽然厂商纷纷发力扩产，但东兴证券分析师吴昊、陈宇哲指出，由于下游市场发展超过预期，国内现有产品商业化供给无法满足需求，SiC电力电子和射频存在较大缺口。供给端已成为碳化硅重要制约因素，技术优势带来的稳定产能将是厂商重要的竞争力。